Китайский резистивный магнит установил новый мировой рекорд

Хэфэй, 22 сентября /Синьхуа/ -- В воскресенье китайские ученые использовали самостоятельно разработанный резистивный магнит, чтобы сгенерировать постоянное магнитное поле с величиной индукции 42,02 теслы, что более чем в 800 тыс. раз сильнее магнитного поля Земли. Этот технологический прорыв побил мировой рекорд, установленный США в 2017 году.

Ожидается, что знаковое достижение, достигнутое Лабораторией высокоинтенсивного магнитного поля Хэфэйского института физических наук при Академии наук Китая /CHMFL/, будет способствовать научным открытиям и применению в широком спектре технологических областей.

Как объяснили эксперты, постоянное высокоинтенсивное магнитное поле является экстремальным экспериментальным условием, служащим мощным инструментом для научных исследований. В экспериментальной среде высокого магнитного поля можно манипулировать свойствами материи, что способствует открытию учеными новых явлений и изучению новых законов материи.

Высокоинтенсивные магнитные поля также могут привести к появлению новых прикладных технологий в таких отраслях, как электромагнитная металлургия и синтез химических реакций, и, в частности, к широкому использованию технологии ядерного магнитного резонанса в медицине.

Благодаря своей значительной ценности в различных областях, таких как физика, химия, материаловедение и наука о жизни, постоянное высокоинтенсивное магнитное поле называют "колыбелью" Нобелевских премий.

По словам научного директора CHMFL Куан Гуанли, новое достижение стало результатом почти четырехлетней работы исследовательской группы, которая занималась разработкой инновационных магнитных структур и оптимизацией производственных процессов.

По его словам, этот прорыв может удовлетворить потребности пользователей в быстром, регулируемом и стабильном высокоинтенсивном магнитном поле, предоставить ученым мощные экспериментальные условия и заложить ключевую технологическую основу для создания в Китае постоянных магнитов с полем более высокой интенсивности.

Пять крупных лабораторий по исследованию постоянного высокоинтенсивного магнитного поля расположены в США, Франции, Нидерландах, Японии и Китае.

Являясь одним из ключевых объектов научно-технической инфраструктуры Китая, установка по созданию постоянного высокоинтенсивного магнитного поля в Хэфэе, административном центре провинции Аньхой на востоке Китая, была введена в эксплуатацию в 2017 году. С помощью гибридного магнита в 2022 году китайские ученые создали на этом объекте постоянное магнитное поле с самой высокой интенсивностью в мире -- 45,22 теслы.

Магниты с постоянным высокоинтенсивным магнитным полем включают резистивные магниты, сверхпроводящие магниты и гибридные магниты. По мнению экспертов, резистивные магниты обладают преимуществом гибкого и быстрого управления, обеспечивая надежные и эффективные экспериментальные условия для научных исследований.

Куан Гуанли сравнил резистивные и сверхпроводящие магниты с игроками в настольный теннис в одиночном разряде, а гибридные магниты -- с игроками в смешанном парном разряде. "После победы на чемпионате в смешанном парном разряде в 2022 году наша команда теперь также завоевала титул чемпиона в одиночном разряде", -- сказал ученый.

Китайская установка по созданию постоянного высокоинтенсивного магнитного поля обеспечивает экспериментальные условия для более чем 197 отечественных и международных учреждений, включая Университет Цинхуа, Пекинский университет, Китайский научно-технический университет и Гарвардский университет. Эти пользователи проводят передовые исследования в физике, химии, материаловедении, техническом проектировании, медицине.

С помощью установки ученые раскрывают молекулярные и нейронные механизмы улучшения обучения и памяти под воздействием солнечного света, а также разрабатывают препараты для таргетной терапии рака, лечения неалкогольной жировой болезни печени и диабета.

Куан Гуанли сообщил, что группа планирует разработать новые постоянные магниты для использования в отрасли новых электронных материалов, исследования механизмов и областей применения высокотемпературной сверхпроводимости, изучения патологии основных заболеваний и производства связанных с ними лекарств, изготовления высокопроизводительных полупроводниковых материалов.